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传三星 2nm 工艺 EUV 曝光 30层，而到了 SF1.4 节点将超 30 层

Annie • • 投稿

The Elec 17日的报道，三星电子预计其2024年发布的2nm先进制程将大幅增加EUV光刻层数，相比3nm工艺提升超30%，预计层数将变成20至30层区间后半段。

传三星 2nm 工艺 EUV 曝光 30层，而到了 SF1.4 节点将超 30 层

报道强调，产品性质差异导致同节点曝光层数不固定。 目前，三星三星3nm工艺EUV光刻层均数约为20层。

对于2027年预定的SF1.4制程，预期EUV光刻层将突破30层。

制程进步促使晶体管尺寸要求更加严格，EUV光刻技术替代传统DUV，确保更高精度，促进晶体管密度攀升，实现更高集成度。

在这种情况下，先进逻辑代工龙头积极采购ASML EUV设备。 以台积电为例，今明两年将引进超60台EUV光刻机，预计至2025年底总量将突破160台。

DRAM行业也紧跟步伐，第六代20~10nm工艺（即1c nm、1γnm）中，三星采用6~7个EUV层，SK海力士应用5层，美光在此节点首次引进EUV技术。

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