SK hynix确认HBM4高带宽内存开发将于2024年开始

BOB • 2023年12月26日 10:15 • 投稿

SK hynix在博客文章中确认其下一代HBM4高带宽内存的开发将于2024年开始。

到目前为止我们已经看到美光和三星列出了他们的下一代HBM4内存产品，同时也确认了开发情况。这两家公司强调了2025年至2026年左右的推出时间。根据SK hynix的最新确认该公司还宣布计划于2024年开始生产下一代高带宽内存。

在谈到其HBM产品时，高级经理Kim Wang-soo强调该公司将于2024年限量生产自己的HBM3E解决方案，这是现有HBM3的增强版本。新内存将提供更高的速度和容量。但同年SK hynix也计划启动HBM4内存的开发，这将标志着HBM产品堆叠的持续发展迈出重要一步。

明年这种竞争优势将持续存在。 GSM团队负责人Kim Wang-soo表示：随着明年HBM3E的量产和销售，我们的市场主导地位将再次最大化。他补充说：随着后续产品HBM4的开发也计划正式启动，SK hynix的HBM将在明年进入一个新阶段。这将是我们值得庆祝的一年。
通过SK hynix

现在由于计划在2024年进行开发，我们预计使用此类内存芯片的实际产品将在2025年底或2026年推出。 Trendforce分享的最新路线图预计首批HBM4样品预计将有高达36GB的容量。 JEDEC预计将在2H 2024-2025时间范围内发布堆叠和完整规格。预计将于2026年向客户提供首批样品并上市，因此我们还有很长的时间才能看到新的高带宽记忆体解决方案的实际应用。

借助36GB堆叠，您可以获得高达288GB的容量，并且还规划了更高的容量。 HBM3E内存的最高速度已达到9.8Gbps，因此我们可以预期HBM4将成为第一个突破两位数10+Gbps障碍的内存。产品方面NVIDIA的Blackwell预计将采用HBM3E内存模块，因此它将是Blackwell的后继产品（代号可能是Vera Rubin），或者是其升级版本，如Hopper H200（HBM3E），将成为第一个采用HBM4的产品。