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AMD 3D V-Cache RAM可提供超过182GB/s和175GB/s的读写速度

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AMD的3D V-Cache技术利用堆叠在CPU逻辑芯片（CPU核心所在的位置）顶部的SRAM区块，并允许处理器访问应用程序的大量高速缓存。 然而使用这个额外的L3 快存作为RAM磁盘似乎是可能的，其中L3 SRAM的行为与存储磁盘机类似。 这里需要声明的是这只能通过将L3给CrystalDiskMark测试来实现，而现实世界中的应用程序无法以CrystalDiskMark的方式做到这一点。
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根据X/推特用户Nemez （@GPUsAreMagic） 的说法，复制此过程的步骤是：使用有3D V-Cache的AMD Ryzen CPU，安装OSFMount并打造FAT32格式的RAM 磁盘，然后使用3DiskMark，并将CrystalDiskMark值设定为value SEQ 256 KB，队列深度1，线程16，资料填充为0， 而不是随机。

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这个实验的结果？ 它们看起来相当令人惊叹，因为L3 SRAM的本质是内存虽小但速度非常快并且可由CPU访问，因此它可以帮助在进入系统RAM之前在本地加载数据。 这边使用AMD Ryzen 7 5800X3D，此RAM磁盘的读取速度超过182GB/s，写入速度超过175GB/s。 在Albert Thomas （@ultrawide219）分享的另一项测试中，我们设法看到采用AMD Ryzen 7800X3D V-Cache的RAM磁盘，其得分略低，读取速度超过178 GB/s，写入速度超过163GB /s。 同样CrystalDiskMark仅在 16MiB到32MiB之间的分配上执行这些测试，因此现实世界中还没有工作负载能够利用它。

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