去年三星在「Samsung Foundry Forum 2022」上,公布了未来的技术路线图,其中SF1.4(1.4nm级)制程预计会在2027年量产,同时还会加速2.5D/3D异构集成封装技术的开发,为代工服务提供整体系统解决方案。
根据DigiTimes报道,近日三星代工副总裁Jeong Gi-Tae在接受媒体采访时透露,正在开发中的SF1.4制程技术会将纳米片的数量从3个增加到4个,有望显著改善性能和功耗的表现。
增加每个晶体管的纳米片数量可以增强驱动电流,提高性能。 更多的纳米片允许更多的电流流过晶体管,增强其开关能力和操作速度。 此外,更多的纳米片可以更好地控制电流,这有助于减少泄漏电流,从而降低功耗。 此外,改进的电流控制也意味着晶体管产生更少的热量,从而提高了功率效率。
三星在去年6月量产了SF3E(3nm GAA),引进全新的GAA(Gate-All-Around)架构晶体管技术。 明年计划带来名为SF3(3GAP)的第二代3nm制程技术,将使用“第二代多桥-通道场效晶体管(MBCFET)”,在原有的SF3E基础上做进一步的最佳化,之后还会有性能增强型的SF3P(3GAP+),更适合制造高性能芯片。 到了2025年,三星将会开始大规模量产SF2(2nm)制程。
台积电计划在2025年量产N2(2nm)工艺,而英特尔则争取在2024年量产Intel 20A工艺,这两款工艺都将引入GAA架构晶体管设计。
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