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AMD下一代Ryzen 7000-3D 处理器正在路上，有望提供比前代产品更高的带宽

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AMD下一代Ryzen 7000-3D 处理器正在路上，有望提供比前代产品更高的带宽

据半导体工程专家Tot Wassick所言，AMD Ryzen 7000处理器似乎得到了一些升级，以便为为即将推出的3D V-Cache型号做准备。

AMD 在 Zen 3 处理器上推出了采用 3D V-Cache 技术的 Ryzen 7 5800X3D CPU，为 CPU 的每个 CCD 带来额外的 64MB 7nm SRAM 快取，使 L3 Cache 容量由 32MB 大幅上升到 96MB。 看来AMD在接下来的Zen 4架构仍然会选择这么做，

Wassick 在 Zen 4 CCD 中发现了更多的 TSV 列，这表明这次新款Ryzen 7000 处理器的 3D 快取型号在硬件上可以提供比 Ryzen 7 5800X3D 更多的带宽。

硅穿孔（Through Silicon Vias，TSV）是一种穿透硅晶圆或芯片的垂直互连。 TSV 是一种让3D IC封装遵循摩尔定律（Moore’s Law）的互连技术，TSV可堆叠多片芯片，其设计概念来自于印刷电路板（PCB）， 在芯片钻出小洞（制程又可分为先钻孔及后钻孔两种， Via First， Via Last），从底部填充入金属， 硅晶圆上以蚀刻或激光方式钻孔（via），再以导电材料如铜、多晶硅、钨等物质填满。 此一技术能够以更低的成本有效提高系统的整合度与效能。

AMD下一代Ryzen 7000-3D 处理器正在路上，有望提供比前代产品更高的带宽

据称，在Ryzen 7000芯片上有两个更大、更密集的TSV阵列，并且有一些间距减小——以及额外的TSV列。 这意味着Ryzen 7000 3D V-Cache的基板将与CPU有更多的接触区域，导致更大的L3快取带宽和可能的额外功率。

3D V-Cache 是AMD推出的一种堆叠L3快取的技术，通过在Ryzen的CCD上增加64MB的SRAM快取，从而将其芯片上的L3快取翻倍，进而显著提高了那些对于L3快取敏感的工作负载的实际表现，尤其是游戏。

AMD目前发布的唯一一款针对消费者的3D V-Cache芯片是RE7 5800X3D，该芯片共有96MB的L3快取。

对于上述Ryzen 7000中额外的TSV触点，这代表AMD正为其第二代堆叠快取准备更高的带宽性能，甚至超过Ryzen R7 5800X3D的2Tbps带宽。

简单来说，这些额外的TSV并不能代表AMD下一代3D V-Cache性能将如何，或者它一定比5800X3D或Ryzen 7000普通型号好多少，只是有可能意味着Ryzen 7000X3D将带来比7 5800X3D更高的带宽。

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