Intel承认在EUV曝光上犯错:当年太自信导致10纳米制程多次跳票,任由AMD坐大

Intel承认在EUV曝光上犯错:当年太自信导致10纳米制程多次跳票,任由AMD坐大

最近几年,台积电及三星在半导体工艺上超越了Intel,后者在14nm节点之前都是全球最先进的半导体公司,然而在10nm节点面临各种困难,给了对手AMD可乘之机。

Intel在这个过程中是如何被超越的? CEO格尔辛格日前接受了采访,特别提到了Intel在EUV曝光技术上的选择错误。

在EUV技术研发上,Intel是全球重要推手,ASML研发EUV曝光机也得到了Intel的不少帮助,但是Intel在10nm节点没有选择EUV曝光,而是尝试了新的SAQP四重曝光技术。 当初Intel的目标是不依赖EUV曝光机,也能靠自力生产先进制程。

Intel承认在EUV曝光上犯错:当年太自信导致10纳米制程多次跳票,任由AMD坐大

格尔辛格表示,当初这个目标是很好的,然而SAQP曝光工艺非常复杂,成本高,随着时间的延续,Intel站在了EUV错误的一边,格尔辛格表示,鸡蛋不用放在同一个篮子里,当时Intel应该至少有一个平行的EUV战略才对。

格尔辛格所说的这个事,其实就是过去几年中Intel在10nm制程上多次跳票的关键,这两年才算是搞定了10nm的量产,现在改名为Intel 7。

至于EUV技术,Intel现在也重视起来了,跟ASML的合作很好,今年底量产的Intel 4就是Intel首个EUV技术产品,用于首发量产第14代Meteor Lake,明年上市。

10nm多次跳票顺带害了LG

值得一提的是,当年Intel在10nm制程上多次跳票,也顺带害了当年相信Intel代工的LG手机芯片。

在LG还有做手机的时候,当时原本爆料指出,LG 未来的 NUCLUN 芯片将采用英特尔 10nm 制程,搭载最新 A75 和 A55 CPU 核心。 要知道,高通准备中的下一代旗舰骁龙835采用的是三星10nm工艺,但是英特尔的10nm技术更先进,密度和台积电、三星的7nm工艺相当。

然而这一次,英特尔不但辜负了 LG,同时也辜负了自己。 因为制程技术难产,英特尔10nm制程连续跳票。

Intel承认在EUV曝光上犯错:当年太自信导致10纳米制程多次跳票,任由AMD坐大

本来计划2015年亮相的英特尔10nm,先是延到2019年,再一度跳票又到了2021年底——现在的第12代处理器。 在这期间,英特尔曾推出初代的 10nm 处理器 i3-8121U,但表现糟糕,上马 10nm 的计划不得不一拖再拖。

拉扯之间,LG 第三代手机芯片 NUCLUN 就此石沉大海。 而不久之后,他们就宣布停止生产手机。

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