韩国超频玩家成功将DDR5 HYNIX A DIE超至7800 C32过测!

1.63V、45ns、120GB/s!

韩国超频玩家成功将DDR5 HYNIX A DIE超至7800 C32过测!

韩国超频玩家sugi0lover近日从淘宝购入一批HYNIX A DIE 16G DDR5(HMCG78AGBUA081N),并成功在华硕ROG MAXIMUS Z690 APEX(BIOS:1701)上以16G*2组合超至7800 C32-44-44-44-30 CR2。 他表示这个超频设定已经成功通过10次TM5 EXTREME测试,并展示出RUNMEMTESTPRO测试100%PASSED的证明。

HYNIX A DIE OC DDR5-7800 C32 Challenge

完整公开各项时序和电压等等的超频设定

使用的 CPU 是 i9-12900K,8C/16T 5.5 GHz 全效能核心超频,禁用所有 E-CORE 效率核心,RING 超至 5.2 GHz,实际核心电压 (DIE SENSE) 是 1.341V,主板使用华硕 ROG MAXIMUS Z690 APEX ,BIOS 1701。 散热设备为自组水冷MORA 420 PRO,覆盖CPU、GPU和DDR5,水温约25C,但未提及室温。

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自组水冷环境下DDR5 SPD温度仅31度,sugi0lover表示DDR5在风冷散热下SPD温度亦只有48度。

DDR5 是 HYNIX 原厂裸条,采用 HYNIX A DIE (HMCG78AGBUA081N),2022 年第 22 周生产。 超频设定为 GEAR 2 (IMC=1950MHz),两根 16G 跑双通道共 32G。 PMIC 采用 RENESAS 可超频的版本 (或已被华硕解锁的不可超频版本? )。

DDR5 电压:VDD 1.635V,VDDQ 1.635V,VPP 好像由默认 1.80V 提高至 1.875V。

CPU 相关电压:IMC – CPU VDD2 用 AUTO=1.40V; TX VDDQ – CPU VDDQ – DRAM VDD/VDDQ 用 AUTO=1.40V; VCCSA 用 AUTO=1.30V。

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时序

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MemTestPro 7.0 (21812) / RunMemTestPro 5.0 (2860) 通过测试。

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跑分效能。

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在此感谢韩国超频玩家sugi0lover愿意无私地公开分享各项重要的信息,恭贺他再次突破超频极限。 但是有一些细节是有意购入 A DIE 一试的玩家应该要注意的:

  • 第一,据了解目前ADIE裸条有分锁PMIC的版本和不锁PMIC的版本,锁PMIC意味若没有板厂绕过限制进行解锁,电压将被锁在1.435V。
  • 第二是不见得每一根 HYNIX A DIE 裸条都能超至 7800MHz 并过测,有意以此作日常使用的玩家需要特别留意。
  • 第三是必须上主动式散热,例如风扇直吹DDR5,否则TREFI难以稳定地被设定为200000以缩紧延迟,延迟值受多个设定影响,禁用ECORE并将RING从预设4.7GHz超至5GHz或以上亦有帮助。
  • 第四是主板要够强,两根DIMM是必须的,据了解部份四根DIMM板子还是有可能将ADIE超到约7300MHz。
  • 第五,可能也是最重要的,就是CPU IMC,不见得每一颗都能上A DIE 8000。 sugi0lover 所使用的 i9-12900K 是难得一见的大鵰,还配上强大的散热系统 (请自行 GOOGLE“MORA 420 PRO”)。

CPU IMC / DDR5 / 2 DIMM 板/温度控制等等都是重要的一环,缺一不可。

关于AIDA64的跑分成绩,READ WRITE COPY均接近120GB/s的成绩极为恐怖。 以 M DIE 作为参考,6600 C32 和细节各项时序,这时候 READ WRITE COPY 便能同时突破 100GB/s。

最后,超频有风险,开启XMP可能导致保固无效,幸好这种裸条没XMP,不懂就开AUTO!

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钞能力和运气非常重要,人的银两决定电脑的力量。

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