Intel与ASML携手强化合作关系驱动High-NA高数值孔径于2025年进入生产阶段

Intel与ASML携手强化合作关系驱动High-NA高数值孔径于2025年进入生产阶段

Intel 向ASML购买首台TWINSCAN EXE:5200 系统,于导入EUV 0.55 NA(High-NA、高数值孔径)制程跨出重要的一步。

为推进尖端半导体微影技术发展,ASML和Intel于今日宣布其长远合作的最新阶段发展。 Intel 向ASML购买的TWINSCAN EXE:5200系统,具备High-NA的极紫外光(EUV)大量生产系统,每小时具备200片以上晶圆产能。

Martin van den Brink,ASML总裁暨技术长提到:「英特尔的远见和对ASML High-NA EUV的早期承诺,为其不断追求摩尔定律的绝佳佐证。 相较于目前的EUV系统,我们持续创新拓展EUV路线图,进一步降低复杂性、成本、周期时间和所需能量,提供驱动芯片产业下个10年所需要的良好经济规模延展性。」

Intel在去年 7 月 Accelarated 活动中宣布,其部署首款 High-NA 技术的计划,借以确立晶体管创新路线图发展。 Intel更早在 2018 年即是之前 TWINSCAN EXE:5000 系统的首位买家,透过今日所宣布的新订购案,其合作关系将随着 Intel 于 2025 年开始以高数值孔径 EUV 进行生产制造而延续下去。

Ann Kelleher博士,英特尔执行副总裁暨技术开发事业部总经理提到「英特尔的重点就是保持半导体微影技术的领先地位,去年我们持续不断地打造我们的EUV专业知识和能力。 透过与ASML的密切合作,我们将汲取High-NA EUV的高端析度图案化优势,作为延续摩尔定律的其中一个方式,并将我们追寻晶体微缩的优良传统延续下去。」

EXE 平台为 EUV 技术的演化步骤,其包含新颖的光学设计与大幅提升速度的光罩与晶圆阶段。 TWINSCAN EXE:5000 和 EXE:5200 系统与之前 EUV 机器所具备的 0.33 数值孔径镜片相比,提供精确度提升的 0.55 数值孔径,为更小的晶体管特征提供更高的分辨率图案化。 系统所具备的数值孔径结合其使用波长,决定了最小能够印制的特征尺寸。

EUV 0.55 NA 为 2025 年开始的多个未来节点所设计,同时也是业界首次部署该技术,随之而来的将是具备相近密度的内存技术。 在2021年的投资者关系日,ASML分享其EUV路线图规划,并表示High-NA技术有望自2025开始支持生产制造。 今日声明与此路线图规划一致。

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫

相关推荐

发表评论

登录后才能评论