不止芯片!传美国正计划限制闪存芯片:Samsung 或受影响!

不止芯片!传美国正计划限制闪存芯片:Samsung 或受影响!

闪存芯片是电脑等硬件设备必不可少的零件之一。除了芯片以外,据路透社报道称,美国正考虑限制制造128层堆叠以上的NAND Flash闪存芯片,限制对象包括长江存储,以此限制的半导体产业发展。

不止芯片!传美国正计划限制闪存芯片:Samsung 或受影响!

消息人士透露,如果美国确定采取该项计划,将对Samsung和SK海力士的闪存工厂造成影响。据悉,Samsung在拥有两家大型的NAND Flash工厂,SK海力士此前收购了Intel旗下在的NAND Flash制造业务。还有人表示,美国将禁止向出口用于制造128 层堆叠以上NAND Flash闪存芯片设备。

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目前长江存储已成功量产128层NAND Flash,正积极研发232层NAND Flash,或将于年底量产。美国白宫在去年6月发布的一份报告中指出,长江存储的低价战略将对美国企业构成直接威胁。美国商务部指控长江存储向HUAWEI畅享20e提供NAND闪存芯片,违反美国的出口禁令。

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