太无情啦！！ ROG 战姬降生ADATA XPG Spectrix D50 ROG 吹雪联名版

育碧 • 2023年9月24日 10:59 • 游戏攻略

XPG 与 ROG STRIX 合作推出二次元主题 XPG Spectrix D50 ROG 吹雪联名内存，换上白色铝合金散热片、印上 ROG 雪武战姬「吹雪」，融合电竞文化、二次元文化，顶端具备三角形 ARGB 导光灯条支持 ASUS AURA Sync 灯效同步，果然系颜值即正义，喜欢二次元文化嘅玩家仲唔买爆。

ADATA XPG Spectrix D50 D4-3600 ROG 吹雪联名版

太无情啦！！ ADATA 与ROG 联手推出全新 XPG Spectrix D50 ROG 联名内存，换上白色铝合金散热片、印上 ROG 雪武战姬「吹雪」，融合电竞文化、二次元文化，顶端具备三角形 ARGB 导光灯条支持ASUS AURA Sync 灯效同步，果然系颜值即正义，喜欢二次元文化嘅玩家仲唔买爆，备有 DDR4-3600 16GB Kit、32GB Kit 两款型号，售价 HK$630、HK$1，140

收到由 ADATA 送测「XPG Spectrix D50 ROG 吹雪联名版内存，包装设计变成动漫风，印上大大个 ROG 雪武战姬二次元角色，中间放印有 ROG 吹雪内存外观， XPG ⁄ ROG STRIX 联名合作，左上方显示支持 ASUS AURA Sync 灯效同步。

盒背印有多国文字说明，开窗设计能看到盒内内存的规格标签，右下角写着Lifetime Warranty终身保固，更重要是Made in Taiwan、信心保证。

XPG Spectrix D50 ROG 吹雪联名版散热片设计基于 D50 普通版，换上白色色铝合金散热片，带有几何线线金属切割，顶端厚重的导光灯条，顶中央加大的三角型使光源广度进一步提升，发光面积增加令炫光色彩更抢眼，左方印有 ROG 战姫吹雪图案，她是 ROG 自家的二次元角色，右方加上 ROG STRIX 吹雪 Logo。

SAMSUNG 存储器颗粒的编号，开首的K代表SAMSUNG Memory、4代表是DRAM产品，A代表DDR4-SDRAM系统内存、8G04代表容量是8Gb（2Gb x 4）颗粒，其Refresh时间为64ms，紧接编码为5代表16 Banks颗粒，W代表工作电压采用SSTL_12接口，vDD、vDDQ工作电压均为1.2V、B代表 Revision B-Die 颗粒。

后面BCWE的B代表96 ball FBGA颗粒，采用Halogen&Lead Free环保制程Flip Chip封装，C代表为正常商用颗粒之工作温度范围为0ºC ~85ºC，WE代表其速度为DDR4-3200，规格为CL22-22-22，厂方通过筛选程序打造成XMP规格下1.35V工作电压可运作DDR4-3600 C18 的内存模块产品。

性能测试..

测试平台采用ASUS ROG STRIX B660-A主板配搭Intel Corei9-12900K处理器，操作系统则采用Microsoft Windows 11，每一组内存设定必要经过RunMemTest Pro*测试检定才能当测试成功。

Operating VoltageOperatingVoltageD4-3600C18-22-22D4-3800C18-22-22D4-4000C18-22-22D4-4200C18-22-221.01.21.41.61.82.0

A	Operating Voltage
D4-3600 C18-22-22	1.35
D4-3800 C18-22-22	1.35
D4-4000 C18-22-22	1.4
D4-4200 C18-22-22	1.45

	Operating Voltage
D4-3600 C18-22-22	1.35
D4-3800 C18-22-22	1.35
D4-4000 C18-22-22	1.4
D4-4200 C18-22-22	1.45

Memory PerformanceRead (MB/s)Write (MB/s) (MB/s)D4-3600C18-22-22D4-3800C18-22-22D4-4000C18-22-22D4-4200C18-22-2250,00055,00060,00065,00070,000

A	Read (MB/s)	Write (MB/s)	(MB/s)
D4-3600 C18-22-22	57674	52408	55282
D4-3800 C18-22-22	60702	55566	58813
D4-4000 C18-22-22	62591	57878	59326
D4-4200 C18-22-22	65705	60655	60421

	Read (MB/s)	Write (MB/s)	(MB/s)
D4-3600 C18-22-22	57674	52408	55282
D4-3800 C18-22-22	60702	55566	58813
D4-4000 C18-22-22	62591	57878	59326
D4-4200 C18-22-22	65705	60655	60421

Memory LatencyLatency(ns)D4-3600C18-22-22D4-3800C18-22-22D4-4000C18-22-22D4-4200C18-22-225055606570

A	Latency (ns)
D4-3600 C18-22-22	56.7
D4-3800 C18-22-22	54.1
D4-4000 C18-22-22	67.2
D4-4200 C18-22-22	64.1

	Latency (ns)
D4-3600 C18-22-22	56.7
D4-3800 C18-22-22	54.1
D4-4000 C18-22-22	67.2
D4-4200 C18-22-22	64.1

SAMSUNG B-Die 如果没有特挑的话其实时脉并不会太高，在不调整时脉序及工作电压下，1.35V 可以超至 DDR4-3800 CL18-22-22，DDR4-4000 差点过但最后出了 ERROR，1.4V可以烧过DDR4-4000CL18-22-22，1.45V能超上DDR4-4200CL18-22-22并完成测试，由于Gear 1跳至 Gear 2 内存Latency会大幅提升，性能成长又不明显，建议可以不要超频或尝试DDR4-3800 CL18。