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台积电公布2nm先进制程：终结FinFET晶体管 功耗降低30%

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台积电公布2nm先进制程：终结FinFET晶体管 功耗降低30%

6月17日早间消息，台积电在今日举办的2022技术论坛上，首度推出下一代先进制程N2，也就是2nm。 技术指标方面，台积电披露，N2相较于N3，在相同功耗下，速度快10~15%; 相同速度下，功耗降低25~30%，开启高效能新纪元。

就纵向对比来看，2nm之于3nm的提升，似乎不如3nm之于5nm，包括但不限于性能、功耗、密度等所有核心参数。

台积电公布2nm先进制程：终结FinFET晶体管 功耗降低30%

在微观结构上，N2采用纳米片晶体管（Nanosheet），取代FinFET（鳍式场效应晶体管），外界普遍认为，纳米片晶体管就是台积电版的GAAFET（环绕栅极晶体管）。

台积电还表示，N2不仅有面向移动处理器的标准工艺，还会有针对高性能运算和小芯片（Chiplet）的整合方案。

台积电公布2nm先进制程：终结FinFET晶体管 功耗降低30%

时间方面，预计N2将于2025年量产。

另外，根据台积电最新技术路线图，第一代3nm（N3）定于下半年量产，3nm也会比较长寿，后续还有N3E、N3P和N3X。

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